4种碳架如下的烃,下列说法正确的是
A.a和d是同分异构体 | B.a和d都能发生加成反应 |
C.b和c是同系物 | D.只有c能发生取代反应 |
关于某一化学反应的熵变,下列说法正确的是()
A.△S为反应产物总熵与反应物总熵之差 |
B.△S与S一样随温度变化不大 |
C.凡是熵增加的反应一定能自发进行 |
D.在温度、压强一定的条件下,焓变和熵变共同决定化学反应进行的方向 |
下列关于自发过程的叙述中,正确的是()
A.只有不需要任何条件就能够自动进行的过程才是自发过程 |
B.需要加热才能够进行肯定不是自发过程 |
C.同一可逆反应的正逆反应在不同的条件下都有自发反应的可能 |
D.非自发过程在任何条件下都不可能变为自发过程 |
下列说法正确的是()
A.某反应低温条件下能自发进行,那么高温条件也一定能自发进行 |
B.某反应高温条件下不能自发进行,那么低温条件也不能自发进行 |
C.反应方向是由焓变和熵变共同决定的,与反应温度无关 |
D.温度有可能对反应的方向起决定性的作用 |
下列关于化学反应的自发性叙述中,正确的是()
A.焓变小于零而熵变大于零的反应肯定是自发的 |
B.焓变和熵变都小于零的反应肯定是自发的 |
C.焓变和熵变都大于零的反应肯定是自发的 |
D.焓变大于零而熵变小于零的反应肯定是自发的 |
电子工业中清洗硅片上的SiO2(s)的反应是:
SiO2(s)+4HF(g)=Si F4(g)+2H2O(g)ΔH(298.15K)=-94.0 kJ·mol-1ΔS(298.15K)=-75.8 J·mol-1·K -1,设ΔH和ΔS不随温度而变化,试求此反应自发进行的温度条件?