如图所示,竖直面内的虚线上方是一匀强磁场B,从虚线下方竖直上抛一正方形线圈,线圈越过虚线进入磁场,最后又落回原处,运动过程中线圈平面保持在竖直平面内,不计空气阻力,则:
| A.上升过程克服磁场力做的功大于下降过程克服磁场力做的功 |
| B.上升过程克服磁场力做的功等于下降过程克服磁场力做的功 |
| C.上升过程克服重力做功的平均功率大于下降过程中重力的平均功率 |
| D.上升过程克服重力做功的平均功率等于下降过程中重力的平均功率 |
如图所示,在垂直纸面向里,磁感应强度为B的匀强磁场区域中有一个均匀导线制成的单匝直角三角形线框。现用外力使线框以恒定的速度v沿垂直磁场方向向右运动,运动中线框的AB边始终与磁场右边界平行。已知AB=BC=l,线框导线的总电阻为R。则线框离开磁场的过程中:
| A.线框中的电动势随时间均匀增大 | B.通过线框截面的电荷量为![]() |
C.线框所受外力的最大值为![]() |
D.线框中的热功率与时间成正比 |
如图所示,在光滑水平面上有一固定的U形金属框架,框架上置一金属杆ab,在垂直纸面方向有一匀强磁场,下列情况中可能的是:
| A.若磁场方向垂直纸面向外,且磁感应强度增大,杆ab在安培力用作用下将向右移动 |
| B.若磁场方向垂直纸面向外,且磁感应强度减小,杆ab在安培力用作用下将向右移动 |
| C.若磁场方向垂直纸面向里,且磁感应强度增大,杆ab在安培力用作用下将向左移动 |
| D.若磁场方向垂直纸面向里,且磁感应强度减小,杆ab在安培力用作用下将向左移动 |
关于电容器和电感线圈对交流电的影响,下列说法中正确的是:
| A.电容器对于高频交变电流的阻碍作用大于它对低频交变电流的阻碍作用 |
| B.电感线圈对于高频交变电流的阻碍作用大于对低频交变电流的阻碍作用 |
| C.电容器对于高频交变电流的阻碍作用小于它对低频交变电流的阻碍作用 |
| D.电感线圈对于高频交变电流的阻碍作用小于对低频交变电流的阻碍作用 |
下列应用与涡流有关的是:
| A.家用电磁炉 | B.家用微波炉 | C.真空冶炼炉 | D.探雷器 |