现有五种可溶性物质A、B、C、D、E，它们所含的阴、阳离子互不相同，分别含有五种阳离子 Na＋、Al3＋、Mg2＋、Ba2＋、Fe3＋和五种阴离子Cl－、OH－、NO3－、CO32－、X中的一种。
（1）某同学通过分析，认为无需
检验就可判断其中必有的两种物质是 和 （填化学式）。
（2）为了确定X，现将（1）中的两种物质记为A和B，含X的物质记C，当C与B的溶液混合时，产生红褐色沉淀和无色无味气体；当C与A的溶液混合时也产生红褐色沉淀，向该沉淀中滴人稀硝酸沉淀部分溶解，最后留有白色沉淀不再溶解。则X为 。
A．SO32－ B．SO42－ C．CH3COO－ D．SiO32－
（3）B的水溶液显 性，原因为 。（用离子方程式表示）
（4）将0．02 molA与0．0 1molC同时溶解在足量的蒸馏水中，充分反应后，最终所得沉淀的物质的量为 （保留一位小数）
（5）将Cu投人到装有D溶液的试管中，Cu不溶解；再
滴加稀H2SO4，Cu逐渐溶解，管口附近有红棕色气体出现。则物质D一定含有上述离子中的 
（填相应的离子符号）。有关反应的离子方程式为： 。
（6）利用上述已经确定的物质，可以检验出D、E中的阳离子。请简述实验操作步骤、现象及结论 。
铝和铁及其化合物在生产、生活中有广泛应用。请回答下列问题：
（1）“和谐号”动车组是由中国自主研发制造的世界上运营速度最高的动车组列车之一，列车采用轻量化铝合金车体，主要利用铝的性质。
（2）明矾可用作净水剂，在使用时发现并不能使酸性废水中的悬浮物沉降除去，其原因是。
（3）磁铁矿是工业上冶炼铁的原料之一，其原理是Fe3O4+4CO
3Fe+4CO2，若有1.5mol Fe3O4参加反应，转移电子的物质的量是。
（4）氯化铁溶液常用作印刷电路铜板腐蚀剂，反应的离子方程式为：。
（5）某高效净水剂可由Fe（OH）SO4聚合得到。工业上以FeSO4、NaNO2和稀硫酸为原料来制备Fe（OH）SO4，反应中有NO生成，化学方程式为
。
(14分)下表为周期表的一部分，其中的编号代表对应的元素。
| A |
|||||||||||||||||
| B |
C |
D |
E |
||||||||||||||
| F |
G |
H |
|||||||||||||||
| I |
J |
请回答下列各题：
（1）由A、B、C形成的ABC分子中，含有σ键与π键个数比为。
（2）BD2和GD2哪个更易溶于水：，
原因
（3）已知元素E和I形成晶胞如图2所示，则I2+的配位数是， E－的配位数是。
（4）JCl3能与C、D的氢化物形成六配位的配合物，且两种配体的物质的量之比为2∶1，三个氯离子位于外界。则JCl3形成的配合物的化学式为
（5）已知晶体FH的晶胞结构如图1所示，该晶体的密度为
，阿伏加德罗常数为NA，则该晶体中相邻的两个F+和H－的核间距为
（列出算式即可）
(14分)已知A、B、C、D、E都是元素周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A＜B＜C＜D＜E。B原子的p轨道半充满，形成的氢化物的沸点是同主族元素的氢化物中最低的。D原子得到一个电子后3p轨道全充满。A+比D原子形成的离子少一个电子层。C与A形成A2C型离子化合物。E的原子序数为26，E原子或离子外围有较多能量相近的空轨道而能与一些分子或离子形成配合物。
请根据以上情况，回答下列问题：
（1）含有元素A的盐的焰色反应为。许多金属盐都可以发生焰色反应，其原因是。
（2）C的氢化物分子的键角是，属于分子。（填“极性”或“非极性”）
（3）BD3的中心原子的杂化类型是
（4）E的一种常见配合物E(CO)5常温下呈液态，熔点为-20.5℃，沸点为103℃，易溶于非极性溶剂，据此可判断E(CO)5的晶体类型为。
（5）金属E单质的晶体在不同温度下有两种堆积方式，晶胞分别如图所示。体心立方晶胞和面心立方晶胞中实际含有的E原子个数之比为____ ___。
(12分)
Q、R、X、Y、Z五种元素的原子序数依次递增。已知：①Z的原子序数为29，其余的均为短周期主族元素；②Y原子价电子（外围电子）排布msnmpn③R原子核外L层电子数为奇数；④Q、X原子p轨道的电子数分别为2和4。请回答下列问题：（1）基态原子Z的电子排布式是。（2）在[Z(NH3)4]2+离子中， NH3提供。（3）QX2的电子式，一种由X和R组成的化合物与QX2互为等电子体，其化学式为。
（4）比较X的氢化物与同主族相邻元素所形成的氢化物稳定性，（填化学式），并说明理由。
(12分)下图表示一些晶体中的某些结构，它们分别是NaCl、CsCl、干冰、金刚
石、石墨结构中的某一种的某一部分
（1）其中代表金刚石的是（填编号字母，下同），晶体的空间最小环由个原子构成，金刚石属于晶体；
（2）其中代表石墨是，其中每个正六边形占有的碳原子数平均为个；
（3）代表干冰的是，它属于晶体，每个CO2分子与个CO2分子紧邻；
（4）上述B、C、D三种物质熔点由高到低的排列顺序为。
（5）第ⅢＡ、ⅤＡ族元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与金刚石相似。在GaN晶体中，每个Ga原子与个
Ｎ原子相连，与同一个Ga原子相连的Ｎ原子构成的空间构型为。
在四大晶体类型中，GaN属于晶体。