长度为L、通有电流为I的直导线放入一匀强磁场中，电流方向与磁场方向如图所示，已知磁感应强度为B，对于下列各图中，导线所受安培力的大小计算正确的是（ ）
| A．F=BILcosθ | B．F=BILcosθ | C．F=BILsinθ | D．F=BILsinθ |
硅光电池作为电源已广泛应用于人造卫星、灯塔和无人气象站等，高速公路上安装的 “电子眼”通常也采用硅光电池供电。硅光电池的原理如图所示，a、b是硅光电池的两个电极，P、N是两块硅半导体，E区是两块半导体自发形成的匀强电场区，P的上表面镀有一层增透膜。光照射到半导体P上，使P内受原子束缚的电子成为自由电子，自由电子经E区电场加速到达半导体N，从而产生电动势，形成电流。以下说法中正确的是
| A．E区匀强电场的方向由P指向N |
| B．电源内部的电流方向由P指向N |
| C．a电极为电池的正极 |
| D．硅光电池是一种把化学能转化为电能的装置 |
电阻R1和R2的伏安特性曲线如图甲，把R1和R2串联接成图乙所示的电路．则下面说法正确的是
| A．由甲图可知R1＞R2 |
| B．由甲图可知R1＜R2 |
| C．调节R0，一定可以使R1、R2上的电压相等 |
| D．两电阻消耗的功率之比与电源电动势和内电阻无关 |
如图所示，每个电阻的阻值都是2欧，安培表内阻不计，在B、C间加6V电压时，安培表的示数是
A.0AB.1AC.2AD.3A
使用多用电表的欧姆挡测电阻时，下列说法正确的是
| A．测量前应检查指针是否停在“Ω”刻度线的“∞”处 |
| B．每一次换挡，都要重新进行一次调零 |
| C．在外电路，电流从红表笔流经被测电阻到黑表笔 |
| D．测量时，若指针偏转很小，应换倍率更大的挡进行测量 |
在如图所示的电路中，电源电动势为E、内电阻为r，将滑动变阻器的滑片P从图示位置向右滑动的过程中，关于各电表示数的变化，下列判断中正确的是
| A．电压表V的示数变大 |
| B．电流表A2的示数变小 |
| C．电流表A1的示数变小 |
| D．电流表A的示数变大 |