在交变电流的产生实验中，关于中性面，下列说法不正确的是( )
| A．此时线圈各边都不切割磁感线，感应电流等于零 |
| B．磁感线垂直于该时刻的线圈平面，所以磁通量最大，磁通量的变化率最大 |
| C．线圈平面每次经过中性面时，感应电流的方向一定会发生改变 |
| D．线圈平面处于跟中性面垂直的位置时，磁通量的变化率最大，感应电动势、感应电流均最大，电流方向不变 |
如图甲所示，理想变压器原、副线圈的匝数之比为10：1，R1=20Ω，R2=30Ω,C为电容器。已知通过R1的正弦交流电如图乙所示，则
甲乙
| A．交流电的频率为0.02Hz |
B．原线圈输入电压的最大值为220 V |
| C．电阻R2的电功率约为6.67W |
| D．通过R3的电流始终为零 |
如图所示，正负电子垂直磁场沿与边界成300角方向射入匀强磁场中，则正负电子在磁场中运动的时间之比为
| A．1：1 |
| B．1：2 |
| C．1：5 |
| D．1：6 |
半导体材料导电性能受光照影响较大，当光照增强时，其导电性能大幅度提高，表现为电阻减小，因而可用来制作成光敏电阻将光信号转化为电信号。如图所示，R1、R2为定值电阻，L为小灯泡，R3为光敏电阻，当照射光强度增大时
| A．电压表示数增大 | B．R2中电流增大 |
| C．小灯泡L的功率增大 | D．电路中路端电压降低 |
如图所示是某一点电荷的电场线分布图，a、b、c三点到该点电荷的距离分别为ra、rb、rc，且ra= rb＜ rc ,则下列表述正确的是
| A．该点电荷带正电 |
| B．a、b两点的场强相同 |
| C．a、b两点的电势相等 |
| D．将负电荷从a点移到c点，其电势能减少 |
下列说法正确的是
A．公式 适合于任意电场 |
B．公式 中的 是产生电场E的源电荷 |
C．公式 中的B是电流I所产生的磁场的磁感应强度 |
D．由公式 知，电容器的电容 与电容器带电量成正比 |