两束单色光a和b沿如图所示方向射向半圆形玻璃砖的圆心O，已知a光在底边界面处发生了全反射，两束光沿相同方向射出，.则
A.在玻璃砖中，a光的速度比b光的小
B如果用a照射某金属能产生光电效应，则用b照射该金属也能产生
C. 分别用a和b在相同条件下做单缝衍射实验，a光的中央亮纹比b光的宽
D. 分别用a和b在相同条件下做双缝干涉实验，a光的条纹间距比b光的大
如图所示，虚线框MNPQ内为一矩形匀强磁场区域，磁场方向垂直纸面向里。a、b、c是三个质量和电荷量都相等的带电粒子，它们从PQ边上的中点沿垂直于磁场的方向射入磁场，图中画出了它们在磁场中的运动轨迹。若不计粒子所受重力，则
| A．粒子a带负电，粒子b、c带正电 |
| B．射入磁场时，粒子b的动能最大 |
| C．粒子b的运动轨迹是抛物线 |
| D．射入磁场时c的运动时间最大 |
如图所示，一根长度L的直导体棒中通以大小为I的电流，静止放在导轨上，导轨处于水平面上，垂直于导体棒的匀强磁场的磁感应强度为B，B的方向与竖直方向成θ角。下列说法中正确的是
| A．导体棒受到磁场力大小为BLIsinθ |
B．导体棒对轨道压力大小为 |
C．导体棒受到导轨摩擦力为 |
| D．导体棒受到导轨摩擦力BLIcosθ |
如图甲所示，abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，导体棒PQ与ad、bc接触良好，整个装置放在垂直于框架平面的变化磁场中，磁场的磁感应强度B随时间t变化情况如图乙所示（设图甲中B的方向为正方向）．在 0～t1时间内导体棒PQ始终静止，下面判断正确的是
| A．导体棒PQ中电流方向由Q至P |
| B．导体棒PQ受安培力方向沿框架向下 |
| C．导体棒PQ受安培力大小在增大 |
| D．导体棒PQ受安培力大小在减小 |
将一段导线绕成图甲所示的闭合电路，并固定在水平面（纸面）内，回路的ab边置于垂直纸面向里的匀强磁场Ⅰ中.回路的圆形区域内有垂直纸面的磁场Ⅱ，以向里为磁场Ⅱ的正方向，其磁感应强度B随时间t变化的图像如图乙所示.F表示ab边受到的安培力，以水平向右为正方向，则能正确反映F随时间t变化的图像是 
如图所示，在光滑水平面上，有一个粗细均匀的单匝正方形闭合线框abcd．t=0时刻，线框在水平外力的作用下，从静止开始向右做匀加速直线运动，bc边刚进入磁场的时刻为t1，ad边刚进入磁场的时刻为t2，设线框中产生的感应电流的大小为i，ad边两端电压大小为U，水平拉力大小为F，则下列i、U、F随运动时间t变化关系图像正确的是
