联合国确定2005年为“国际物理年”，以纪念爱因斯坦在物理学的许多领域所作出的杰出贡献，例如阐明布朗运动、建立狭义相对论并推广为广义相对论、提出光的量子理论并完满地解释光电效应等。关于光电效应的下列说法，正确的是 （ ）
| A．用一定频率的单色光照射几种不同金属表面，若均能发生光电效应，则从不同金属表面逸出的光电子的最大初动能不同 |
| B．用不同频率的单色光照射同一种金属表面，若均能发生光电效应，则从金属表面逸出的光电子的最大初动能不同 |
| C．用一定频率的单色光照射某种金属表面不能发生光电效应，若增加光照射时间，则可能发生光电效应 |
| D．用一定频率的单色光照射某种金属表面不能发生光电效应，若增加光的强度，则可能发生光电效应 |
两块大小、形状完全相同的金属平板平行放置，构成一平行板电容器，与它相连接的电路如图所示，接通开关，电源即给电容器充电。则下列说法正确的是（）
①．保持K接通，减少两极板间的距离，则两极板间电场的电场强度减小
②．保持K接通，在两极板间插入一块介质，则极板上的电量增大
③．断开K，减少两极板间的距离，则两极板间的电势差减小
④．断开K，在两极板间插入一块介质，则两极板间的电势差增大
| A．①② | B．②③ | C．③④ | D．②④ |
如图所示，MN是一负点电荷产生的电场中的一条电场线.一个带正电的粒子（不计重力）从a到b穿越这条电场线的轨迹如图中虚线所示.下列结论正确的是（）
| A．负点电荷一定位于M点左侧 |
| B．带电粒子在a点的加速度大于在b点的加速度 |
| C．带电粒子在a点时的电势能小于在b点时的电势能 |
| D．带电粒子从a到b过程中动能逐渐减小 |
在图所示的电路中，合上电键S后，下列说法正确的是（）
| A．电流表读数变大，电压表读数变大 |
| B．电流表读数变小，电压表读数变小 |
| C．电流表读数变小，电压表读数变大 |
| D．电流表读数变大，电压表读数变小 |
半导体中参与导电的电流载体称为载流子。N型半导体的载流子是带负电的电子，P型半导体的载流子是带正电的“空穴”，如图所示，一块厚度为d、宽度为L的长方形半导体样品，置于方向如图所示、磁感应强度大小为B的匀强磁场中，当半导体样品中通以向右的电流强度为I的恒定电流时，样品上、下底面出现恒定电势差U，且上表面带正电、下表面带负电。设半导体样品中每个载流子带电荷量为q，半导体样品中载流子的密度（单位体积内载流子的个数）用n表示（已知电流I=nqvS，其中v为载流子定向移动的速度，S为导体横截面积），则下列关于样品材料类型的判断和其中载流子密度n大小的表达式正确的是（）
A．是N型半导体， |
| B．是P型半导体， |
C．是N型半导体， |
| D．是P型半导体， |
电量相同质量不同的同位素离子以相同的速率从a孔射入正方形空腔中，空腔内匀强磁场的磁感应强度方向如图所示．如果从b、c射出的离子质量分别为m1、m2，运动时间分别为t1、t2,打到d点的离子质量为m3，运动时间为t3.则下列判断正确的是（）
| A．m1＞m2＞m3 | B．t3＞t2＞t1 |
| C．m1：m2＝1：2 | D．m2：m3＝2：1 |