氮元素可以形成多种化合物。
回答以下问题：
（1）基态氮原子的价电子排布式是 。
（2）C、N、O三种元素第一电离能从大到小的顺序是 。
（3）肼（N2H4）分子可视为NH3分子中的一个氢原子被——NH2（氨基）取代形成的另一种氮的氢化物。
①NH3分子的空间构型是 ；N2H4分子中氮原子轨道的杂化类型是 。
②肼可用作火箭燃料，燃烧时发生的反应是：
N2O4（l）＋2N2H4（l）===3N2（g）＋4H2O（g）△H＝－1 038.7 kJ·mol－1
若该反应中有4 mol N－H键断裂，则形成的π键有 mol。
③肼能与硫酸反应生成N2H6SO4，N2H6SO4晶体类型与硫酸铵相同，则N2H6SO4的晶体内不存在 （填标号）。
a.离子键 b.共价键
c.配位键 d.范德华力
X、Y、Z、Q、E五种元素中，X原子核外的M层中只有两对成对电子，Y原子核外的L层电子数是K层的两倍，Z是地壳内含量（质量分数）最高的元素，Q的核电荷数是X与Z的核电荷数之和，E在元素周期表的各元素中电负性最大。请回答下列问题：
（1）X、Y的元素符号依次为 、 ；
（2）XZ2与YZ2分子的立体结构分别是 和 ，相同条件下两者在水中的溶解度较大的是 （写分子式），理由是 ；
（3）Q的元素符号是 ，它属于第 周期，它的核外电子排布式为 ，在形成化合物时它的最高化合价为 ；
（4）用氢键表示式写出E的氢化物溶液中存在的所有氢键 。
请完成下列各题：
（1）前四周期元素中，基态原子中未成对电子与其所在周期数相同的元素有 种。
（2）第ⅢA、ⅤA原元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 。在GaN晶体中，每个Ga原子与 个N原子相连，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 。在四大晶体类型中，GaN属于 晶体。
（3）在极性分子NCl3中，N原子的化合物为―3，Cl原子的化合价为＋1，请推测NCl3水解的主要产物是 （填化学式）。
A、B、C、D、E代表5种元素。请填空：
（1）A元素基态原子的最外层有3个未成对电子，次外层有2个电子，其元素符号为 ；
（2）B元素的负一价离子和C元素的正一价离子的电子层结构都与氩相同，B的元素符号为 ，C的元素符号为 ；
（3）D元素的正三价离子的3d亚层为半充满，D的元素符号为 ，其基态原子的电子排布式为 。
（4）E元素基态原子的M层全充满，N层没有成对电子，只有一个未成对电子，E的元素符号为 ，其基态原子的电子排布式为 。
现有部分前四周期元素的性质或原子结构如下表：
| 元素编号 |
元素性质或原子结构 |
| A |
第三周期中的半导体材料 |
| B |
L层s电子数比p电子数少1 |
| C |
第三周期主族元素中其第一电离能最大 |
| D |
前四周期呀中其未成对电子数最多 |
（1）B单质分子中，含有________个
键和__________个
键，元素B的气态氢化物的空间型为________________。
（2）C单质的熔点____________A单质的熔点（填“高于”或“低于”），其原因是：_______________
（3）写出元素D基态原子的电子排布式：______________________。
氧化铜是一种黑色固体，可溶于稀硫酸。某同学想知道是稀硫酸的哪种粒子（H2O，H+，SO42-）能使氧化铜溶解。请你和他一起通过如图Ⅰ、Ⅱ和Ⅲ三个实验完成这次探究活动。
（1）某同学提出的假设是；（2）通过实验Ⅰ可以证明；（3）要证明另外两种粒子能否溶解氧化铜，还需要进行实验Ⅱ和Ⅲ，在Ⅱ中加入稀硫酸后氧化铜溶解，则进一步所做的确认为：在Ⅲ中先加入，再加入。（4）探究结果为。（5）你认为除实验Ⅱ和Ⅲ所用的试剂外，还能溶解氧化铜的一种常见物质是。