下列说法正确的是_________（填入正确选项前的字母。选对一个给2分，选对两个给4分，选对三个给5分，每选错一个扣3分，最低得分为0分）。
| A．如果用紫光照射某种金属发生光电效应，改用绿光照射该金属一定发生光电效应 |
| B．用能量等于氘核结合能的光子照射静止氘核，不可能使氘核分解为一个质子和一个中子 |
| C．重核的裂变过程质量增大，轻核的聚变过程有质量亏损 |
| D．根据玻尔理论，氢原子的核外电子由较高能级跃迁到较低能级时，要释放一定频率的光子，同时电子的动能增大，电势能减小 |
E．在康普顿效应中，当入射光子与晶体中的电子碰撞时，把一部分动量转移给电子，因此光子散射后波长变长
霍尔效应是电磁现象之一，近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展。如图甲所示，在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流强度为I的电流，同时外加与薄片垂直的磁感应强度为B的磁场，则在M、N间出现大小为UH的电压，这个现象称为霍尔效应，UH称为霍尔电压，且满足
，式中d为薄片的厚度，k为霍尔系数。某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数。
（1）若该半导体材料是空穴（可视为带正电粒子）导电，电流与磁场方向如图甲所示，该同学用电压表测量UH时，应将电压表的“+”接线柱与_____（选填“M”或“N”）端通过导线相连。
（2）该同学查阅资料发现，使半导体薄片中的电流反向再次测量，取两个方向测量的平均值，可以减小霍尔系数的测量误差，为此该同学设计了如图乙所示的测量电路，S1、S2均为单刀双掷开关，虚线框内为半导体薄片（未画出）。为使电流从Q端流入，P端流出，应将S1掷向_________（选填“a”或“b”），S2掷向_______（选填“c”或“d”）。
（3）已知薄片厚度d＝0.40mm，该同学保持磁感应强度B＝0.10T不变，改变电流I的大小，测量相应的UH值，记录数据如下表所示。
| I（×10-3A） |
3.0 |
6.0 |
9.0 |
12.0 |
15.0 |
18.0 |
| UH（×10-3V） |
1.1 |
1.9 |
3.4 |
4.5 |
6.2 |
6.8 |
根据表中数据在给定区域内（见答题卡）画出UH-I图线，请利用图线求出该材料的霍尔系数为___________×10-3V·m·A-1·T-1（保留2位有效数字）。
如图所示，在匀强电场中有a、b、c、d四点，它们处于同一圆周上，且ac、bd分别是圆的直径．已知a、b、c三点的电势分别为φa＝9V，φb＝15V，φc＝18V，则d点的电势为 V
板长为L的平行金属板与水平面成θ角放置，板间有匀强电场．一个带负电、电量为q、质量为m的液滴，以速度v0垂直于电场方向射入两板间，如图所示，射入后液滴沿直线运动，两极板间的电场强度E= ．液滴离开电场时的速度为 ．（液滴的运动方向没有改变）
已知一个电流表的内阻为
，Ig=100μA，若要改装成量程为3V的伏特表，需
（填“串”或“并”）联一个阻值为__________
的电阻，若改装成量程为1A的安培表，需_______（填“串” 或“并”）联一个阻值约为_________的电阻．
