半导体中参与导电的电流载体称为载流子。N型半导体的载流子是带负电的电子，P型半导体的载流子是带正电的“空穴”，如图所示，一块厚度为d、宽度为L的长方形半导体样品，置于方向如图所示、磁感应强度大小为B的匀强磁场中，当半导体样品中通以向右的电流强度为I的恒定电流时，样品上、下底面出现恒定电势差U，且上表面带正电、下表面带负电。设半导体样品中每个载流子带电荷量为q，半导体样品中载流子的密度（单位体积内载流子的个数）用n表示（已知电流I=nqvS，其中v为载流子定向移动的速度，S为导体横截面积），则下列关于样品材料类型的判断和其中载流子密度n大小的表达式正确的是（ ）
A．是N型半导体， |
| B．是P型半导体， |
C．是N型半导体， |
| D．是P型半导体， |
在国际单位之中，下列哪一组单位全部属于基本单位（）
| A．米、牛顿、千克 |
| B．米、千克、秒 |
| C．千克、焦耳、秒 |
| D．米每二次方秒、千克、秒 |
关于伽利略理想斜面实验，以下说法正确的是（）
| A．没有事实基础，只是科学抽象 |
| B．完全是理想情况，没有事实基础 |
| C．虽然是理想情况，但不缺少事实基础 |
| D．以上说法都不正确 |
下列所研究的物体可以看成质点的是（）
| A．研究钟表秒针的转动 |
| B．研究地球围绕太阳转动 |
| C．研究一列火车过拱桥 |
| D．研究跳水运动员空中翻腾的动作 |
将一单摆向右拉至水平标志线上，从静止释放，当摆球运动到最低点时，摆线碰到障碍物，摆球继续向左摆动，用频闪照相机拍到如图所示的单摆运动过程的频闪照片，摆球从最高点M摆至左边最高点N时，以下说法正确的是（）
A．摆线碰到障碍物前后的摆长之比为 |
B．摆线碰到障碍物前后的摆长之比为 |
| C．摆线经过最低点时，线速度不变，半径减小，摆线张力变大 |
| D．摆线经过最低点时，角速度不变，半径减小，摆线张力变大 |
如图所示，在光滑的水平面上放着甲、乙两个物块，甲的质量是乙的2倍，开始物体乙静止，在乙上系有一个轻质弹簧，物块甲以速度
向乙运动，在运动过程中（）
| A．甲动量的变化量大小等于乙动量的变化量大小 |
| B．弹簧压缩量最大时，甲的速度为零 |
| C．当乙的速度最大时，甲的速度为零 |
| D．当乙的速度最大时，甲的速度向右 |