如图所示，虚线框和实线框在同一水平面内。虚线框内有矩形匀强磁场区，矩形的长是宽的2倍。磁场方向垂直于纸面向里。实线框abcd是一个正方形导线框。若将导线框以相同的速率匀速拉离磁场区域，第一次沿ab方向拉出，第二次沿ad方向拉出，两次外力做的功分别为W1、W2，则（ ） 
| A．W2＝W1 | B．W2＝2W1 |
| C．W2＝4W1 | D．W2＝8W1 |
如图所示，正负电子垂直磁场沿与边界成300角方向射入匀强磁场中，则正负电子在磁场中运动的时间之比为
| A．1：1 |
| B．1：2 |
| C．1：5 |
| D．1：6 |
半导体材料导电性能受光照影响较大，当光照增强时，其导电性能大幅度提高，表现为电阻减小，因而可用来制作成光敏电阻将光信号转化为电信号。如图所示，R1、R2为定值电阻，L为小灯泡，R3为光敏电阻，当照射光强度增大时
| A．电压表示数增大 | B．R2中电流增大 |
| C．小灯泡L的功率增大 | D．电路中路端电压降低 |
如图所示是某一点电荷的电场线分布图，a、b、c三点到该点电荷的距离分别为ra、rb、rc，且ra= rb＜ rc ,则下列表述正确的是
| A．该点电荷带正电 |
| B．a、b两点的场强相同 |
| C．a、b两点的电势相等 |
| D．将负电荷从a点移到c点，其电势能减少 |
下列说法正确的是
A．公式 适合于任意电场 |
B．公式 中的 是产生电场E的源电荷 |
C．公式 中的B是电流I所产生的磁场的磁感应强度 |
D．由公式 知，电容器的电容 与电容器带电量成正比 |
如图所示，带电粒子以速度v刚刚进入磁感应强度为B的磁场，下列各图所标的带电粒子＋q所受洛伦兹力F的方向中，正确的是