请回答下列问题:
（1）制备硅半导体材料必须先得到高纯硅。三氯甲硅烷
还原法是当前制备高纯硅的主要方法,生产过程示意图如下: 
①写出由纯
制备高纯硅的化学方程式: ____________________________________。
②整个制备过程必须严格控制无水无氧。遇水剧烈反应生成
、HCl和另一种物质,配平后的化学反应方程式为___________________________;
还原过程中若混入
可能引起的后果是____________________________________。
（2）下列有关硅材料的说法正确的是_________ (填字母)。
| A．碳化硅化学性质稳定,可用于生产耐高温水泥 |
| B．氮化硅硬度大、熔点高,可用于制作高温陶瓷和轴承 |
| C．高纯度的二氧化硅可用于制造高性能通讯材料——光导纤维 |
| D．普通玻璃是由纯碱、石灰石和石英砂制成的,其熔点很高 |
E．盐酸可以与硅反应,故采用盐酸为抛光液抛光单晶硅
（3）硅酸钠水溶液俗称水玻璃。取少量硅酸钠溶液于试管中,逐滴加入稀硝酸,振荡。写出实验现象并给予解释 。
如下图所示，A、B、C三个装置的烧杯中分别盛有足量的CuCl2溶液。
（1）A、B、C三个装置中属于电解池的是_____________。
（2）A池中Cu是 ___极，A池中总反应的离子方程式为____________________。
（3） B池中C电极上发生__ ______ _反应（填“氧化”或“还原”），
B池中总反应的化学方程式为_。
（4 C池中Cu是__________极，电极反应为。
反应过程溶液中c(Cu2+)_____________（填“变大”“变小”或“不变”）。
已知下列热化学方程式：①H2（g） +
O2（g）＝H2O（l）；ΔH="-285" kJ·mol-1
②H2（g） +1/2 O2（g）＝H2O（g）；ΔH="-241.8" kJ·mol-1
③C（s） +1/2 O2（g）＝CO（g）；ΔH="-110.5" kJ·mol-1
④ C（s） +O2（g）＝CO2（g）；ΔH="-393.5" kJ·mol-1
回答下列问题：
（1）H2的燃烧热ΔH为；C的燃烧热ΔH为。
（2）燃烧1gH2生成液态水，放出的热量为。
（3）写出CO燃烧的热化学方程式。
标准状况下，①4g氢气、②33.6L甲烷（CH4）、③9.03×1023个水分子中，含分子数最多的是（填写序号，下同），含原子数最多的是，
质量最大的是，体积最小的是。
．(10分)标准状况下，含有相同氧原子数的CO和CO2，其物质的量比为；质量之比为；碳原子数比为；原子数比为；体积之比为________________。
某双原子分子构成的气体，其摩尔质量为M (g·mol－1)，已知阿伏加德罗常数为NA (mol－1)，标准状况下气体摩尔体积为Vm (L·mol－1)，现有质量为n g的该气体，则：
(1) 该气体的物质的量为mol。
(2) 该气体在标准状况下的体积为L。
(3) 该气体所含原子总数为个。