如图所示，间距为L、电阻不计的足够长平行光滑金属导轨水平放置，导轨左端用一阻值为R的电阻连接，导轨上横跨一根质量为m、电阻也为R的金属棒，金属棒与导轨接触良好。整个装置处于竖直向上、磁感应强度为B的匀强磁场中。现使金属棒以初速度V沿导轨向右运动，若金属棒在整个运动过程中通过的电荷量为q。下列说法正确的是 
| A．金属棒在导轨上做加速度减小的减速运动 |
B．整个过程中金属棒克服安培力做功为 |
C．整个过程中金属棒在导轨上发生的位移为 |
D．整个过程中电阻R上产生的焦耳热为 |
把一小段通电直导线放入磁场中，导线受到安培力的作用。关于安培力的方向，下列说法正确的是
| A．安培力的方向一定跟磁感应强度的方向相同 |
| B．安培力的方向一定跟磁感应强度的方向垂直，但不一定跟电流方向垂直 |
| C．安培力的方向，既跟磁感应强度的方向垂直，又跟电流方向垂直 |
| D．安培力的方向一定跟电流方向垂直，但不一定跟磁感应强度方向垂直 |
下列关于磁感应强度说法正确的是
A．由 可知：磁场中某处的磁感应强度大小随通电导线中电流 的减小而增大 |
B．由可知：磁场中某处的磁感应强度大小随通电导线所受的磁场力 的增大而增大 |
| C．通电导线所受的磁场力为零，该处的磁感应强度不一定为零 |
| D．放置在磁场中1m长的通电直导线，通过1A的电流，受到的安培力为1N，则该处的磁感应强度可能是2T |
平行电容器内部虚线范围内有偏转电场，一束离子从两板正中间P处垂直电场入射，出现如图所示的a、b、c偏转轨迹，则( )
| A．若为同种离子，a和b在电场中所需运动时间相同 |
| B．若为同种离子，b和c在电场中所需运动时间相同 |
| C．若初速度相同，a和b在电场中所需运动时间相同 |
| D．若初速度相同，b和c在电场中所需运动时间相同 |
欧姆表调零后，用“×10”档测量一个电阻的阻值，发现指针偏转角度很小，则下列说法和做法中正确的是：（）
| A．这个电阻的阻值很小 |
| B．这个电阻的阻值很大 |
| C．为测得更准确些，应当换用“×1”档，并且重新调零后进行测量 |
| D．为测得更准确些，应当换用“×100”档，并且重新调零后进行测量 |
一个用满偏电流3mA的电流表改装成欧姆表，调零后用它测量500Ω的标准电阻时，指针恰好在刻度盘的正中间，如果用它测量一个未知电阻时，指针指在1mA处。则被测电阻的阻值为：（）
A．1000Ω  |
B．5000Ω | C．1500Ω | D．2000Ω |