在如图甲所示的电路中，RT是半导体热敏电阻，其电阻RT随温度T变化的关系图象如图乙所示，当RT所在处温度升高时，下列关于通过理想电流表的电流I，ab间电压U和电容器电量q的说法正确的是（ ）
| A．I变大，U变大 | B．I变大，U变小 |
| C．U变小，q变小 | D．U变大，q变大 |
关于电磁感应下列说法正确的是（）
| A．穿过回路的磁通量越大，则产生的感应电动势越大 |
| B．穿过回路的磁通量减小，则产生的感应电动势一定变小 |
| C．穿过回路的磁通量变化越快，则产生的感应电动势越大 |
| D．穿过回路的磁通量变化越大，则产生的感应电动势越大 |
在图所示的四个图中，标出了匀强磁场的磁感应强度B的方向、带正电的粒子在磁场中速度v的方向和其所受洛伦兹力f的方向，其中正确表示这三个方向关系的图是（）
图中，当S闭合后，画出的通电电流磁场中的小磁针偏转的位置正确的是（）
关于电场线和磁感线,下列说法正确性的是（）
| A．电场线和磁感线都是闭合的曲线 |
| B．磁感线是从磁体的N极发出，终止于S极。 |
| C．电场线和磁感线都不能相交 |
| D．电场线和磁感线都是客观存在的 |
电场中有一点P，下列说法中正确的有（）
| A．若放在P点的电荷的电荷量减半，则P点的场强减半 |
| B．若P点没有试探电荷，则P点场强为零 |
| C．P点的场强越大，则同一电荷在P点受到的电场力越大 |
| D．P点的场强方向为就是放在该点的电荷受电场力的方向 |