如图所示,两匀强磁场方向相同,以虚线MN为理想边界,磁感应强度分别为B1、B2.今有一个质量为m、电荷量为e的电子从MN上的P点沿垂直于磁场的方向射入匀强磁场B1中,其运动轨迹为如图虚线所示的“心”形图线.则以下说法正确的是( )
A.电子的运行轨迹为PENCMDP |
B.电子运行一周回到P用时为T=![]() |
C.B1=4B2 |
D.B1=2B2 |
带电小球以一定的初速度竖直向上抛出,能够达到的最大高度
;若加上水平方向的匀强磁场,且保持初速度仍为
,小球上升的最大高度为
,若加上水平方向的匀强电场,且保持初速度仍为
,小球上升的最大高度为
,如图所示,不计空气阻力,则
A.![]() |
B.![]() |
C.![]() |
D.![]() |
集成电路应用广泛,集成度越来越高,现在集成电路的集成度已达几亿个元件,目前科学家们正朝着集成度突破10亿个元件的目标迈进,集成度越高,各种电子元件越微型化,如图甲是我国自行研制成功的中央处理器(CPU)芯片“龙芯”1号,下图乙中,R1和R2是材料相同、厚度相同、表面为正方形的导体,但R2的尺寸远远小于R1的尺寸,通过两导体的电流方向如图乙所示,则这两个导体的电阻R1、R2的关系正确的是
A.![]() |
B.![]() |
C.![]() |
D.无法确定 |
如图所示是电视机中偏转线圈的示意图,圆心O表示电子束,由纸内向纸外而来,那么,接通电源,给偏转线圈加上图示方向的电流时,电子束应
A.不偏转 | B.向左偏转 | C.向上偏转 | D.向下偏转 |
如图所示,有一正电荷电场中的A点自由释放,只受电场力作用,沿电场线运动到B点,它运动的速度图象正确的是
用控制变量法,可以研究影响平行板电容器电容的因素。在如图所示装置中,设两极板正对面积为S,极板间的距离为d,静电计指针偏角为,平行板电容的电容为C,实验中,保持极板带电荷量不变,下列说法正确的是
A.保持S不变,增大d,则![]() |
B.保持S不变,增大d,则![]() |
C.保持d不变,减小S,则![]() |
D.保持d不变,减小S,则![]() |