根据要求回答相关问题：
（1）除去下列物质中所混有的少量杂质（括号内为杂质），写出有关的反应方程式。
①铜粉（铝粉） ；
②FeCl3溶液（FeCl2） ；
③N2（O2） 。
（2）下图所示各项变化的未知数中均含有钠元素，E为淡黄色粉末，据此回答下列问题：
①写出A→B的化学方程式，标出电子转移的方向和数目________________________
②在B→C的变化中所得C的溶液往往不纯，其中的杂质（不包括水）可能是 ，主要原因是 ；还可能是 ，主要原因是 。
化合物KaFeb(C2O4)c·dH2O（其中铁为正三价）是重要的光化学试剂。通过下述实验确定该晶体的组成。
步骤a：称取该样品4.91g溶于水中配成250mL溶液，取出25mL溶液，向其中加入过量的NaOH溶液，将沉淀过滤，洗涤，高温灼烧至质量不再改变，称量其固体的质量为0.08g。
步骤b：另取出25mL溶液，加入适量稀H2SO4溶液，用0.050 mol·L－1KMnO4溶液滴定，到达滴定终点时，消耗KMnO4溶液24.00mL。
已知： KMnO4+ H2C2O4+ H2SO4= MnSO4+ K2SO4+ CO2+ H2O
（1） 配平上述反应方程式
（2） 草酸为二元弱酸，其一级电离的方程式为 。
（3）滴定终点观察到的现象为 。
（4）通过计算确定样品的组成(写出计算过程)。
苯佐卡因可用于粘膜溃疡、创面等的镇痛，是一种常用的局部麻醉剂，其合成路线如下图所示：
已知：① 当苯环上连有甲基时，再引入的其他基团主要进入甲基的邻位或对位；当苯环上连有羧基时，再引入的其他基团主要进入羧基的间位。
请回答下列问题：
（1）上述合成路线中属于取代反应的是 。（填代号）。
化合物C中含有的含氧官能团的名称为 。
（2）合成路线中反应①的化学方程式为 。
（3）下列关于上述合成路线的说法中正确的是 。（填字母）
a．反应①除主要生成物质A外，还可能生成
、
等
b．步骤①和②可以互换
c．反应③是还原反应
（4）苯佐卡因有多种同分异构体，请写出其中任意一种满足下列条件的同分异构体的结构简式： 。
①有两个对位取代基；②－NH2直接连在苯环上；③分子结构中含有酯基。
（5）化合物
有较好的阻燃性，请写出以甲苯为主要原料制备该阻燃剂的合成路线流程图。提示：①合成过程中无机试剂任选；②合成路线流程图示例如下：
某化学实验室产生的废液中含有Fe3＋、Cu2＋、Ba2＋、Cl－四种离子，现设计下列方案对废液进行处理，以回收金属并制备氯化钡、氯化铁晶体。
（1）沉淀1中含有的金属单质是 。
（2）氧化时加入H2O2溶液发生反应的离子方程式为 。
（3）下列物质中，可以作为试剂X的是 （填字母）。
| A．BaCl2 | B．BaCO3 | C．NaOH | D．Ba(OH)2 |
（4）检验沉淀2洗涤是否完全的方法是 。
（5）制备氯化铁晶体过程中需保持盐酸过量，其目的是 。
（6）由过滤2得到的滤液制备BaCl2的实验操作依次为 、冷却结晶、 、洗涤、干燥。
由丙烯经下列反应可得到F、G两种高分子化合物，它们都是常用的塑料。
（1）聚合物F的结构简式是_____________________________________。
（2）D的结构简式是 。
（3）B转化为C的化学方程式是 。
（4）在一定条件下，两分子E能脱去两分子水形成一种六元环化合物，该化合物的结构简式是 _________________________________________。
（5）E有多种同分异构体，其中一种能发生银镜反应，1mol该种同分异构体与足量的金属钠反应产生1mol H2，则该种同分异构体为__________________________________。
已知A、B、C、D、E都是周期表中的前四周期的元素， 它们的核电荷数A<B<C<D<E。其中B、D、E原子最外层电子层的P能级（轨道）上的电子处于半充满状态。通常情况下，A的一种氧化物分子为非极性分子，其晶胞结构如右图所示。原子序数为31的元素镓（Ga）与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一类半导体材料和GaE为代表的第二代半导体材料之后，在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料。
试回答下列问题：
（1）基态Ga原子的核外电子排布式为： 。
（2）A、B、C的第一电离能由大到小的顺序： （用元素符号表示）。
（3）B元素的单质分子中有 个π键，与其互为等电子体的物质的化学式可能为 （任写一种）。
（4）上述A的氧化物分子中心原子采取 杂化，其晶胞中微粒间的作用力为 。
（5） EH3分子的空间构型为 ，其沸点与BH3相比 （填“高”或“低”），原因是
（6）向CuSO4溶液中逐滴加入BH3的水溶液，先生成蓝色沉淀，后沉淀逐渐溶解得到深蓝色的透明溶液。请写出沉淀溶解的离子方程式 ．