如图甲所示，在x轴上有一个点电荷Q（图中未画出），A、B为轴上两点．放在A、B两点的试探电荷受到的电场力跟试探电荷所带电荷量的关系如图乙所示．以x轴的正方向为电场力的正方向，则（ ）
A．点电荷Q一定为正电荷
B．点电荷Q在A、B之间
C．A点的电场强度大小为2×103N/C
D．A点的电势比B点的电势低
硅光电池是利用光电效应原理制成的器件，下列表述正确的是( )
| A．硅光电池是把光能转变为电能的一种装置 |
| B．硅光电池中吸收了光子能量的电子都能逸出 |
| C．逸出的光电子的最大初动能与入射光的频率无关 |
| D．任意频率的光照射到硅光电池上都能产生光电效应 |
某金属的逸出功为2.3 eV，这意味着( )
| A．这种金属内部的电子克服原子核引力做2.3 eV的功即可脱离表面 |
| B．这种金属表面的电子克服原子核引力做2.3 eV的功即可脱离表面 |
| C．要使这种金属有电子逸出，入射光子的能量必须小于2.3 eV，且离开金属表面的动能与2.3 eV无关 |
| D．这种金属受到光照时若有电子逸出，则电子离开金属表面时的动能至少等于2.3 eV |
用频率为ν1的单色光照射某种金属表面，发生了光电效应现象．现改用频率为ν2的另一单色光照射该金属表面，下面说法正确的是( )
| A．如果ν2>ν1，能够发生光电效应 |
| B．如果ν2<ν1，不能够发生光电效应 |
| C．如果ν2<ν1，逸出光电子的最大初动能增大 |
| D．如果ν2>ν1，逸出光电子的最大初动能不受影响 |
根据爱因斯坦光子说，光子能量E等于(h为普朗克常量，c、λ为真空中的光速和波长)( )
A．h |
B．h |
| C．hλ | D． |
质量为M的木块在光滑水平面上以速率v1向右运动，质量为m的子弹以速率v2水平向左射入木块，假设子弹射入木块后均未穿出，且在第N颗子弹射入后，木块恰好停下来，则N为( )
A． |
B． |
C． |
D． |