如图所示，某物体自空间O点以水平初速度v0抛出，落在地面上的A点，其轨迹为一抛物线．现仿此抛物线制作一个光滑滑道并固定在与OA完全重合的位置上，然后将此物体从O点由静止释放，受微小扰动而沿此滑道滑下，在下滑过程中物体未脱离滑道．P为滑道上一点，OP连线与竖直方向成45°角，则此物体（ ）
A．由O运动到P点的时间大于 |
B．物体经过P点时，速度的水平分量为 v0 |
| C．物体经过P点时，速度的竖直分量为2v0 |
D．物体经过P点时的速度大小为 |
如图所示，一质量为m的带电液滴在相互垂直的匀强电场和匀强磁场中(电场竖直向下，磁场在水平方向)的竖直平面内做半径为R的匀速圆周运动，则这个液滴
| A．一定带正电，而且沿逆时针方向运动 |
| B．一定带负电，而且沿顺时针方向运动 |
| C．一定带负电，但绕行方向不能确定 |
| D．不能确定带电性质，也不能确定绕行方向 |
如图甲所示，理想变压器原、副线圈的匝数之比为10：1，R1=20Ω，R2=30Ω,C为电容器。已知通过R1的正弦交流电如图乙所示，则
甲乙
| A．交流电的频率为0.02Hz |
B．原线圈输入电压的最大值为220 V |
| C．电阻R2的电功率约为6.67W |
| D．通过R3的电流始终为零 |
如图所示，正负电子垂直磁场沿与边界成300角方向射入匀强磁场中，则正负电子在磁场中运动的时间之比为
| A．1：1 |
| B．1：2 |
| C．1：5 |
| D．1：6 |
半导体材料导电性能受光照影响较大，当光照增强时，其导电性能大幅度提高，表现为电阻减小，因而可用来制作成光敏电阻将光信号转化为电信号。如图所示，R1、R2为定值电阻，L为小灯泡，R3为光敏电阻，当照射光强度增大时
| A．电压表示数增大 | B．R2中电流增大 |
| C．小灯泡L的功率增大 | D．电路中路端电压降低 |
如图所示是某一点电荷的电场线分布图，a、b、c三点到该点电荷的距离分别为ra、rb、rc，且ra= rb＜ rc ,则下列表述正确的是
| A．该点电荷带正电 |
| B．a、b两点的场强相同 |
| C．a、b两点的电势相等 |
| D．将负电荷从a点移到c点，其电势能减少 |