半导体材料的发展一直引领着信息技术的发展。下列物质可以用来制取半导体器件（如大规模集成电路）的是（ ）
| A．二氧化硅 | B．粗硅 | C．高纯硅 | D．硅酸盐 |
下列反应的离子方程式书写错误的是
A．铁跟稀硫酸反应：Fe +2H+ Fe2+ + H2↑ |
| B．醋酸跟氢氧化钾溶液反应：CH3COOH + OH-CH3COO- + H2O |
| C．硫化亚铁中加入盐酸：S2- + 2H+H2S↑ |
| D．碳酸钙溶于盐酸中：CACO3 + 2H+CA2+ + H2O + CO2↑ |
一定温度下的恒容容器中，下列叙述不是可逆反应A(g)+3B(g) 
2C(g)达到平衡的标志的是
①C的生成速率与C的分解速率相等；
②单位时间内Amol A生成，同时消耗3Amol B；
③A、B的浓度之比不再变化；
④混合气体的平均摩尔质量不再变化；
⑤混合气体的物质的密度不再变化；
⑥单位时间消耗2Amol C，同时消耗3Amol B；
⑦A、B、C的分子数目比为1:3:2。
A．②④⑤ B．②⑥⑦ C．③⑤⑦ D．④⑤⑦
下列物质按照强电解质、弱电解质、非电解质的分类，正确的一组是
| 组别 |
A |
B |
C |
D |
| 强电解质 |
CH3COOH |
NAOH |
CuSO4 |
HCl |
| 弱电解质 |
Al |
NH3·H2O |
CACO3 |
CH3COOH |
| 非电解质 |
CO2 |
酒精 |
水银 |
金刚石 |
下列反应中，硝酸只表现氧化性的是
A．Zn+HNO3(稀) |
B．Mg(OH)2+ HNO3(稀) |
| C．C+ HNO3(浓) |
D．Cu+ HNO3(浓) |
能用离子方程式H+＋OH-
H2O表示的反应是
| A．稀醋酸和稀氨水反应 | B．稀硫酸和烧碱溶液反应 |
| C．稀盐酸和氢氧化铜反应 | D．稀硫酸和氢氧化钡溶液反应 |