下列说法正确的是（ ）
| A．气体的温度升高时，分子的热运动变得剧烈，分子的平均动能增大，撞击器壁时对器的作用力增大，所以气体的压强一定增大 |
| B．气体体积变小时，单位体积的分子数增多，单位时间内打到器壁单位面积上的分子数增多，所以气体的压强一定增大 |
| C．压缩一定量的气体，气体的内能一定增加 |
D．有一 分子a（只受分子力）从无穷远处趋近固定不动的分子b，当a到达受b的分子力为零处时，a具有的动能一定最大 |
如图A、B是平行板电容器的两个极板，B板接地，A板带有电荷量+Q，板间电场中有一固定点P，若将B板固定，A板下移一些；或者将A板固定，B板上移一些，在这两种情况下，以下说法中正确的是（）
A.A板下移时，P点的电场强度不变，P点电势不变
B.A板下移时，P点的电场强度不变，P点电势升高
C.B板上移时，P点的电场强度减小，P点电势升高
D.B板上移时，P点的电场强度减小，P点电势降低
某平行板电容器的电容为C，带电量为Q，相距为d，今在板间中点放一个电量为q的点电荷，则它受到的电场力的大小为（）
A． |
B． |
C． |
D． |
如图所示，当将带正电的球C移近不带电的枕形绝缘金属导体AB时，枕形导体上的电荷移动情况是（）
| A．枕形金属导体上的正电荷向B端移动，负电荷不移动 |
| B．枕形金属导体中的带负电的电子向A端移动，正电荷不移动 |
| C．枕形金属导体中的正、负电荷同时分别向B端和A端移动 |
| D．枕形金属导体中的正、负电荷同时分别向A端和B端移动 |
下列说法中正确的是（）
A．在公式 中， 是点电荷Q2产生的电场在点电荷Q1处的场强大小 |
B．由公式 可知，电场中某点的电场强度与试探电荷在该点所受到的电场力成正比 |
C．公式 只适用于真空中点电荷产生的电场 |
| D．电场线是电荷在电场中的运动轨迹 |
下列关于静电场的说法正确的是（）
| A．静电场中，电场强度大的点电势必定高 |
| B．静电场中，电场强度为零的点电势必定为零 |
| C．静电场中，在电势高的点点电荷的电势能必定高 |
| D．无论是匀强电场还是点电荷形成的电场，电场强度与放在该处的试探电荷无关 |