(15分)
Ⅰ. 砷化镓为第三代半导体,以其为材料制造的灯泡寿命长.耗能少。已知砷化镓的晶胞结构如图所示。请回答下列问题:
(1)下列说法正确的是__________(填序号)
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同 | B.第一电离能 As>Ga |
C.电负性 As>Ga | D.原子半径 As>Ga |
(2)砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3在700℃下反应制得,反应的方程式为__________;
(3)AsH3空间形状为___________;已知(CH3)3Ga为非极性分子,则其中镓原子的杂化方式为____________;
Ⅱ.金属铜的导电性仅次于银,居金属中的第二位,大量用于电气工业。
(4)请解释金属铜能导电的原因 , Cu2+的核外电子排布式为__________________________。
(5)在硫酸铜溶液中通入过量的氨气,小心蒸发,最终得到深蓝色的[Cu(NH3)4]SO4晶体,晶体中含有的化学键除普通共价键外,还有 和 。
如图为以惰性电极进行电解:
(1)写出B、C、D各电极上的电极反应式和总反应方程式:
A:________________________________,B:________________________________,
总反应方程式:________________________;
C:________________________________, D:________________________________,
总反应方程式:____________________
_______;
(2)在A、B、C、D各电极上析出生成物的物质的量比为__________________。
已知某元素原子的电子排布式是1s22s22p63s23p63d104s24p1。
(1)该元素的原子序数为。
(2)该元素位于第周期族。
(3)该原子的电子总数为,价电子总数为。
A为有机合成中间体,在一定条件下发生消去反应,可能得到两种互为同分异构体的产物,其中的一种B可用于制取合成树脂、染料等多种化工产品。A能发生如图所示的变化。
试回答:
(1)写出符合下述条件A的同分异构体的结构简式(各任写一种):
a.具有酸性,H-NMR谱图有3组峰________;
b.能发生水解反应,H-NMR谱图有4组峰_________。
(2)A分子中含氧官能团的名称是 ,D结构简式是 。
(3)写出化学方程式:A→B 。
(4)写出E生成高聚物的化学方程式: 。
(5)C的同分异构体C1与C有相同的官能团,两分子C1脱去两分子水形成含有六元环的C2,写出C1的结构简式(有几种写几种): 。
下表为长式周期表的一部分,其中的序号代表对应的元素。
(1)写出上表中元素⑨原子的外围电子排布式__________。
(2)在元素③与①形成的水果催熟剂气体化合物中,元素③的杂化方式为__________杂化;元素⑦与⑧形成的化合物的晶体类型是__________。
(3)元素④的第一电离能__________元素⑤(填写“>”“=”或“<”)的第一电离能;元素④与元素①形成的X分子的空间构型为__________。请写出与元素④的单质互为等电子体分子、离子的化学式__________(各写一种)。
(4)在测定元素①与⑥形成化合物的相对分子质量时,实验测得的
值一般高于理论值的主要原因是__________。
(5)元素④的最高价氧化物对应的水化物稀溶液与元素⑦的单质反
应时,元素④被还原到最低价,该反应的化学方程式为
__________。
(6)将过量的X通入含有元素⑩的蓝色硫酸盐溶液中,反应的离子方程式为__________;元素⑩的某种氧化物的晶体结构如图所示,其中实心球表示元素⑩原子,则一个晶胞中所包含的氧原子数目为__________。
各物质之间的转换关系如下图,部分生成物省略。
相关信息如下
i.X为红褐色沉淀; ii.A为单质,B为溶液,D和F为气体;
iii.反应②为某化工生产中的尾气处理方式,产物只有Y和H2O。
根据以上信息回答下列问题:
(1)组成A的元素在周期表中属于:(选填序号);
(A)主族元素(B)副族元素(C)过渡元素(D)短周期元素
(2)写出B物质的化学式:;
(3)写出反应②的化学反应方程式:;
(4)以石墨为两极材料,电解C的水溶液,写出电解初期阴极的电极反应式:;
(5)28g单质A与一定浓度的B溶液反应,当生成n(C):n(E):2:3时发生转移mol电子;
(6)在仅含E的溶液中加入Na2O2生成X时,写出当n(E):n(Na2O2)=1:1时反应的离子方程式:。