霍尔效应广泛应用于半导体材料的测试和研究中，例如应用霍尔效应测试半导体是电子型还是空穴型，研究半导体内载流子浓度的变化等。在霍尔效应实验中，如图所示，
宽为
cm，
长为4cm，
厚为
cm的导体，沿方向通有3A的电流，当磁感应强度
的匀强磁场垂直向里穿过
平面时，产生了
V的霍尔电压，（已知导体内定向移动的自由电荷是电子），则下列说法正确的是
A．在导体的前表面聚集自由电子，电子定向移动的速率 |
B．在导体的上表面聚集自由电子，电子定向移动的速率 |
| C．在其它条件不变的情况下，增大的长度，可增大霍尔电压 |
D．每立方米的自由电子数为 个 |
如图所示，一根弹性良好的橡皮绳固定在同一高度的A、B两点，中间悬挂一轻质光滑滑轮，滑轮下端挂一质量为m的重物，平衡时橡皮绳之间的夹角为θ。现把B点水平右移到C点，达到新的平衡（橡皮绳始终在弹性限度内）。则移动后相比移动前，下列说法中正确的是
A．重物所受的合力变大
B．橡皮绳的弹力变大
C．橡皮绳对滑轮的合力变大
D．橡皮绳之间的张角θ变大
如右图所示，2011年5月27日在国际泳联大奖赛罗斯托克站中，中国选手彭健烽在男子3米板预赛中以431.60分的总成绩排名第一，晋级半决赛。若彭健烽的质量为m，他入水后受到水的阻力而做减速运动，设水对他的阻力大小恒为F，在水中下降高度h的过程中，他的（g为当地重力加速度）
| A．重力势能减少了mgh | B．动能减少了Fh |
| C．机械能减少了（F+mg）h | D．机械能减少了Fh |
如图(甲)所示，电压表V1、V2串联接入电路中时，示数分别为6 V和4 V，当只有电压表V2接入电路中时，如图(乙)所示，示数为9 V，电源的电动势为
| A．9.8 V | B．10 V |
| C．10.8 V | D．11.2 V |
如图所示，虚线AB和CD分别为椭圆的长轴和短轴，相交于O点，两个等量异种点电荷分别处于椭圆的两个焦点M、N上，下列说法中正确的是
A.A、B两处电势、场强均相同
B.C、D两处电势、场强均相同
C.在虚线AB上O点的场强最大
D.带正电的试探电荷在O处的电势能小于在B处的电势能
如图，斜面体M的底面粗糙，斜面光滑，放在粗糙水平面上，弹簧的一端固定在墙面上，另一端与放在斜面上的物块m相连，弹簧的轴线与斜面平行，若物体在斜面上做简谐运动，斜面体保持静止，则地面对斜面的摩擦力f与t的关系图象正确的是
