如图所示，一个质量为m的物体（可视为质点），由斜面底端的A点以某一初速度冲上倾角为300的固定斜面做匀减速直线运动，减速的加速度大小为g，物体沿斜面上升的最大高度为h，在此过程中
| A．重力势能增加了2mgh | B．机械能损失了mgh |
| C．动能损失了mgh | D．系统生热 |
在以P1Q1、P2Q2为边界的区域内有垂直纸面向内的匀强磁场，直角三角形金属导线框ABC位于纸面内，C点在边界P1Q1上，且AB⊥BC，已知AB=BC=L，P1Q1、P2Q2间距为2L。从t=0时刻开始，线框向右匀速穿过磁场区域，以顺时针方向为线框中感应电流i的正方向，则感应电流i随时间t变化的图象是
ABCD
如图所示，一质量为m的带电液滴在相互垂直的匀强电场和匀强磁场中(电场竖直向下，磁场在水平方向)的竖直平面内做半径为R的匀速圆周运动，则这个液滴
| A．一定带正电，而且沿逆时针方向运动 |
| B．一定带负电，而且沿顺时针方向运动 |
| C．一定带负电，但绕行方向不能确定 |
| D．不能确定带电性质，也不能确定绕行方向 |
如图甲所示，理想变压器原、副线圈的匝数之比为10：1，R1=20Ω，R2=30Ω,C为电容器。已知通过R1的正弦交流电如图乙所示，则
甲乙
| A．交流电的频率为0.02Hz |
B．原线圈输入电压的最大值为220 V |
| C．电阻R2的电功率约为6.67W |
| D．通过R3的电流始终为零 |
如图所示，正负电子垂直磁场沿与边界成300角方向射入匀强磁场中，则正负电子在磁场中运动的时间之比为
| A．1：1 |
| B．1：2 |
| C．1：5 |
| D．1：6 |
半导体材料导电性能受光照影响较大，当光照增强时，其导电性能大幅度提高，表现为电阻减小，因而可用来制作成光敏电阻将光信号转化为电信号。如图所示，R1、R2为定值电阻，L为小灯泡，R3为光敏电阻，当照射光强度增大时
| A．电压表示数增大 | B．R2中电流增大 |
| C．小灯泡L的功率增大 | D．电路中路端电压降低 |