下表是元素周期表短周期的一部分
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② |
③ |
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④ |
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⑤ |
⑥ |
⑦ |
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（1）①—⑦元素中金属性最强的元素位于周期表第 周期 族。
（2）可作为半导体材料的是 （写元素符号）。
（3）表中元素⑥的原子结构示意图为 。
（4）④与⑤形成的常见化合物的化学键的类型为 ，该化合物的电子式为 。
（5）表中元素①、②、③、⑤、⑦中，原子半径由大到小的顺序是 （填数字序号）
（6）表中元素③、⑥它们最高价氧化物的水化物相互反应的离子方程式为 。
GaAs是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族。
（1）Ga和As的最外层电子数分别是_____________________________________________。
（2）GaAs中Ga和As的化合价分别是___________________________________________。
（3）第ⅣA族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料，该化合物半导体材料的化学式可表示为__________________。
下图表示NH4NO3和D物质为初始反应物发生的一系列变化，其中，在常温下B为液态，F为不溶于水但可溶于酸的白色固体，G与I为无色气体，G能使湿润的红色石蕊试纸变蓝。
（1）D和H的化学式：D_____________，H_____________，G与E的电子式：G_____________， E_____________。
（2）写出下列反应的方程式：反应①_____________;反应②_____________。
氮可以形成多种离子，如N3-、
、
、
、
、
等，已知与是由中性分子结合质子形成的，有类似于的性质，另外氮与氢也能形成NH3、N2H4、N3H5、N4H6、N5H7……
(1)一个含有__________________________个电子，的电子式为____________。
(2)形成的中性分子的结构式是_____________________。
(3)在强碱溶液中反应的离子方程式：_____________________________。
(4)NH3、N2H4、N3H5、N4H6、N5H7是否互为同系物，为什么？__________________________。
(5)写出N5H7可能的结构简式______________________________。
(6)这一系列化合物中N的质量分数最大值应小于____________%。
在一定条件下，某元素的氢化物X可完全分解为两种单质Y和Z。若已知：
①反应前的X与反应后生成的Z的物质的量之比n(X)∶n(Z)=2∶3。
②单质Y的分子为正四面体构型。
请填写下列空白。
（1）单质Y是______________，单质Z是_________________（填写名称或化学式）。
（2）Y分子中共含________________个共价键。
（3）X分解为Y和Z的化学方程式为：____________________________________。
下图是A→E五种含氮物质的相互转化关系图。其中A、B、C、D常温下都是气体，B为红棕色，写出A、B、C、D、E的化学式和各步反应的化学方程式。
（1）各物质的化学式：
A.____________，B.____________，C.____________，D.____________，E.____________。
（2）各步反应的方程式为：
①____________________________________________________________________________。
②____________________________________________________________________________。
③____________________________________________________________________________。
④____________________________________________________________________________。