氮化硅（Si3N4）是一种优良的高温结构陶瓷，在航天航空、汽车发动机、机械等领域有着广泛的用途。工业上有多种方法来制备氮化硅，常见的方法有：
（1）在1 300-l 400℃时，高纯粉状硅与纯氮气化合，其反应方程式为_________。
（2）在高温条件下利用四氯化硅气体、纯氮气、氢气反应生成氮化硅和HCl。
①已知：25℃，101 kPa条件下的热化学方程式：
3Si（s）+2N2（g）=Si3N4（s） △H= -750.2kJ/mol
Si（s）+2Cl2（g）=SiCl4（g） △H="-609.6" kJ/mol
H2（g）+Cl2（g）=2HCl（g） △H="--184.6" kJ/mol
四氯化硅气体与氮气、氢气反应的热化学方程式为____________________。
②工业上制取高纯硅和四氯化硅的生产流程如下：
已知：X，高纯硅、原料B的主要成分都可与Z反应，Y与X在光照或点燃条件下可反应，Z的焰色呈黄色。
上述生产流程中电解A的水溶液时，阳极材料能否用Cu？________（填“能”或“不能”）。写出Cu为阳极电解A的水溶液开始一段时间阴阳极的电极方程式。阳极: ；阴极： 。
（3）由石英砂合成氮化硅粉末的路线图如下所示
（把图中的①·⑤改为I-V）
①石英砂不能与碱性物质共同存放，以NaOH为例，用化学方程式表示其原因： 。
②图示I-V的变化中，属于氧化还原反应的是 。
③SiCl4在潮湿的空气中剧烈水解，产生白雾，军事工业中用于制造烟雾剂。SiCl4水解的化学方程式为___________________。
④在反应IV中四氯化硅与氨气反应生成Si（NH2）4和一种气体 （填分子式）；在反应V中Si（NH2）4受热分解，分解后的另一种产物的分子式为 。
某离子晶体晶胞结构如下图所示，x位于立方体的顶点，Y位于立方体中心。试分析：
1）晶体中每个Y同时吸引着个X，每个X同时吸引着个Y，该晶体的化学式为。
2）晶体中在每个X周围与它最接近且距离相等的X共有个。
3）晶体中距离最近的2个X与1个Y形成的夹角∠XYX的度数为。
晶体硼的基本结构单元都是由硼原子组成的正二十面体的原子晶体。其中含有20个等边三角形和一定数目的顶角，每个顶角各有一个原子，试观察图形回答。这个基本结构单元由个硼原子组成，共含有个B-B键。
二氧化硅是一种晶体，每个硅原子周围有个氧原子。
石墨晶体中C-C键的键角为，其中平均每个六边形所含的C原子数为个。
t℃时，将3molA和1molB气体通入体积为2L的密闭容器中（恒容），发生如下反应：
3A（g）+ B（g ） 
xC（g），2min 时反应达到平衡状态（温度保持不变），剩余0.8 molB，C的浓度为0.4mol·L-1，请填空：
⑴从开始反应至达到平衡状态，以B表示的平均反应速率为
⑵x=
⑶若继续向原平衡混合物的容器中通入适量氦气（假设氦气和A、B、C都不反应）后，原化学平衡________（填字母）
A．向正反应方向移动 B．向逆反应方向移动C．不移动 D．无法判断
⑷若向原平衡混合物的容器中再充入3molA和1molB，在t℃时达到新的平衡，此时B的物质的量为n(B)______1.6mol。（填“>”、“<”、或“=”）
⑸如果将amolA、bmolB、cmolC在相同温度和容器中进行反应，欲使反应达到平衡时C的物质的量浓度分数与原平衡相等，起始加入的三种物质的物质的量n(A)、n(B)、n(C)之间应该满足的等量关系式：__________________、__________________（a与c及b及c的关系式）