单晶硅是制作电子集成电路的基础材料。科学家预计，到2011年一个电脑芯片上将会集成10亿个晶体管，其功能远比我们想象的要大的多，这对硅的纯度要求很高。用化学方法可制得高纯度硅，其化学方程式为： ①SiO2 + 2C
Si + 2CO
②Si + 2Cl2
SiCl4 ③SiCl4 + 2H2
Si + 4HCl，其中反应①和③属于（ ）
| A．化合反应 | B．分解反应 |
| C．置换反应 | D．复分解反应 |
下列关于电离平衡常数(K)的说法中正确的是
| A．电离平衡常数(K)越小，表示弱电解质电离能力越弱 |
| B．电离平衡常数(K)与温度无关 |
| C．不同浓度的同一弱电解质，其电离平衡常数(K)不同 |
| D．多元弱酸各步电离平衡常数相互关系为：K1<K2<K3 |
下列有关电解质的说法中正确的是
| A．强电解质一定是离子化合物 |
| B．强电解质、弱电解质的电离都是吸热过程 |
| C．强电解质的饱和溶液一定是浓溶液 |
| D．强电解质在水中一定能全部溶解 |
下列溶液一定呈中性的是
| A．c(H＋)＝c(OH－)＝10－6 mol·L－1的溶液 |
| B．pH＝7的溶液 |
| C．使石蕊试液呈紫色的溶液 |
| D．酸与碱恰好完全反应生成正盐的溶液 |
反应N2+3H2
2NH3刚开始时，N2的浓度为3 mol/L，H2的浓度为5 mol/L，3 min后测得NH3浓度为0.6 mol/L，则此时间内，下列反应速率表示正确的是
| A．v(NH3)="0.2" mol/（L·s） | B．v(N2)="1.0" mol/（L·min） |
| C．v(H2)="1.67" mol/（L·min） | D．v(H2)="0.3" mol/（L·min） |
合成氨反应：N2(g)＋3H2(g)
2NH3(g) ΔH＝－92.4 kJ·mol－1，在反应过程中，正反应速率的变化如图：
下列说法一定正确的是
| A．t1时升高了温度 | B．t2时使用了催化剂 |
| C．t3时增大了压强 | D．t4时降低了温度 |