在容积为VL的密闭容器中发生2NO2 
2NO+O2反应。反应过程中NO2的物质的量随时间变化的状况如图所示。
（1）若曲线A和B表示的是该反应在某不同条件下的反应状况，则该不同条件是 。
A．有、无催化剂 B．温度不同 C．压强不同 D．V值不同
（2）写出该反应的化学平衡常数K的表达式： ，
并比较K800℃ K850℃（填“>”、“<”或“=”）。
（3）在图上作出在A条件下NO的变化曲线，并求算在B条件下从反应开始至达到平衡，氧气的反应速率v(O2)= 。
（4）不能说明该反应已达到平衡状态的是 。
A．v正（NO2）=v逆（NO） B．c（NO2）=c（NO）
C．气体的平均摩尔质量不变 D．气体的密度保持不变
(5)在如图所示的三个容积相同的三个容器①、②、③进行反应：2NO+O2 
2NO2
若起始温度相同，分别向三个容器中充入2molNO和1molO2 ，则达到平衡时各容器中NO物质的百分含量由大到小的顺序为(填容器编号) 。
C、S、O、Se是同族元素，该族元素单质及其化合物在材料、医药等方面有重要应用。请回答下列问题：
（1）Ge的原子核外电子排布式为
（2）C、Si、Sa三种元素的单质中，能够形成金属晶体的是
（3）按要求指出下列氧化物的空间构型、成键方式或性质
①CO2分子的空间构型及碳氧之间的成键方式 ；
②SO2晶体的空间构型及硅氧之间的成键方式 ；
③已知SnO2是离子晶体，写出其主要物理性质 （写出2条即可）
（4）CO可以和很多金属形成配合物，如Ni（CO）2，Ni与CO之间的键型为
（5）碳氧键的红外伸缩振动频率与键的强度成正比，已知Ni（CO）4中碳氧键的伸缩振动频率为2060cm－3，CO分子中碳氧键的伸缩振动频率为2143cm－2，则Ni（CO）中碳氧键的强度比CO分子中碳氧键的强度 （填字母）
A．强
B．弱
C．相等
D．无法判断
X、Y、Z、Q、E五种元素中，X原子核外的M层中只有两对成对电子，Y原子核外的L层电子数是K层的两倍，Z是地壳内含量（质量分数）最高的元素，Q的核电荷数是X与Z的核电荷数之和，E在元素周期表的各元素中电负性最大。请回答下列问题：
（1）X、Y的元素符号依次为 、 ；
（2）XZ2与YZ2分子的立体结构分别是 和 ，相同条件下两者在水中的溶解度较大的是 （写分子式），理由是 ；
（3）Q的元素符号是 ，它属于第 周期，它的核外电子排布式为 ，在形成化合物时它的最高化合价为 ；
（4）用氢键表示式写出E的氢化物溶液中存在的所有氢键 。
请完成下列各题：
（1）前四周期元素中，基态原子中未成对电子与其所在周期数相同的元素有 种。
（2）第ⅢA、ⅤA原元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 。在GaN晶体中，每个Ga原子与 个N原子相连，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 。在四大晶体类型中，GaN属于 晶体。
（3）在极性分子NCl3中，N原子的化合物为―3，Cl原子的化合价为＋1，请推测NCl3水解的主要产物是 （填化学式）。
A、B、C、D、E代表5种元素。请填空：
（1）A元素基态原子的最外层有3个未成对电子，次外层有2个电子，其元素符号为 ；
（2）B元素的负一价离子和C元素的正一价离子的电子层结构都与氩相同，B的元素符号为 ，C的元素符号为 ；
（3）D元素的正三价离子的3d亚层为半充满，D的元素符号为 ，其基态原子的电子排布式为 。
（4）E元素基态原子的M层全充满，N层没有成对电子，只有一个未成对电子，E的元素符号为 ，其基态原子的电子排布式为 。
现有部分前四周期元素的性质或原子结构如下表：
| 元素编号 |
元素性质或原子结构 |
| A |
第三周期中的半导体材料 |
| B |
L层s电子数比p电子数少1 |
| C |
第三周期主族元素中其第一电离能最大 |
| D |
前四周期呀中其未成对电子数最多 |
（1）B单质分子中，含有________个
键和__________个
键，元素B的气态氢化物的空间型为________________。
（2）C单质的熔点____________A单质的熔点（填“高于”或“低于”），其原因是：_______________
（3）写出元素D基态原子的电子排布式：______________________。