工业上用粗氧化铜(含杂质FeO)为原料制取氯化铜晶体(CuCl2·2H2O)的生产流程如下：
| 物质 |
Fe(OH)2 |
Cu(OH)2 |
Fe(OH)3 |
| 完全沉淀时的pH |
≥9.6 |
≥6.4 |
3～4 |
(1)写出向溶液A中加入NaClO的离子方程式___________________________________。
(2)沉淀C的化学式为________。
(3)实验室如何检验沉淀E已洗涤干净？________。
(4)低温蒸发的目的是______________________________________。
(5)流程中两次加入了CuO，而不是一次性向溶液B中加入过量的CuO，其理由是________________________________________________。
（1）如果反应物所具有的总能量大于生成物所具有的总能量，反应物转化为生成物时 （填吸收或放出）热量，△ H （填大于或小于）0；
（2）对于反应2SO2 + O2
2SO3其它条件不变，只改变一个反应条件，将生成SO3的反应速率的变化填入表中空格里 。（填字母 A．增大 B．减小 C．不变）
| 改变条件 |
速率变化 |
||
| 降低温度 |
|
||
| 增大O2的浓度 |
|||
| 使用V2O5做催化剂 |
|||
| 压缩气体 |
已知A、B、C、D为第三周期元素，其原子的第一至第四电离能如下表所示：（单位：kJ/mol），回答下面各题：
| 元素代号 |
I1 |
I2 |
I3 |
I4 |
| A |
2080 |
4000 |
6100 |
9400 |
| B |
500 |
4600 |
6900 |
9500 |
| C |
740 |
1500 |
7700 |
10500 |
| D |
580 |
1800 |
2700 |
11600 |
（1）A是 B是 C是 D是 （填元素符号）
（2）B通常显 价，B的电负性 C的电负性（填“＞”、“＜”或“＝”）。
（3）元素C的第一电离能比D高的原因是___________________________
（4）下列元素中，化学性质和物理性质最像A元素的是 。
A.氦（1s2） B. 铍（1s22s2） C. 锂（1s22s1） D. 氢（1s1）
（5）每种元素都出现相邻两个电离能的数据相差较大的情况，请你估计B的第2次电离能飞跃数据将是第___电子。
氮化硅是一种高温陶瓷材料，它的硬度大、熔点高、化学性质稳定。工业上普遍采用高纯硅与纯氮在1300℃反应获得氮化硅。
（1）根据性质，推测氮化硅属于________晶体。
（2）根据化合价规律，推测氮化硅的化学式为_________。
（3）现用四氯化硅和氮气、氢气加强热反应，可得较高纯度的氮化硅，反应的化学方程式为______ ___________。
某些化学键的键能如下表(kJ·mol—1)：
（1）根据上表数据判定，H2和Cl2较稳定的是 ；
(2)1 mol H2在足量C12中燃烧，放出热量 kJ。
简答题：
（1）蒸馒头时，经常往面粉中放入小苏打，使得馒头膨松，食用起来香甜可口，请写出其原因：
（2）不能用手拿钠的原因：
（3）常温下，浓硫酸、浓硝酸可以用铝槽车运载的原因：