古代铁器（埋藏在地下）在严重缺氧的环境中，仍然锈蚀严重（电化腐蚀）。原因是一种叫做硫酸盐还原菌的细菌，能提供正极反应的催化剂，可将土壤中的SO42-还原为S2-，该反应放出的能量供给细菌生长、繁殖之需。
①写出该电化腐蚀的正极反应的电极反应式：
②文物出土前，铁器表面的腐蚀产物可能有（写化学式）
某强酸性溶液X中含有Ba2+、Al3+、NH4+、Fe2＋、Fe3+、CO32—、SO32—、SO42—、Cl—、NO3—中的一种或几种，取该溶液进行连续实验，实验内容如下：
根据以上信息，回答下列问题：
（1）上述离子中，溶液X中除H＋外还肯定含有的离子是____________________，
不能确定是否含有的离子(Q)是___________，
若要确定该Q(若不止一种，可任选一种)不存在，其最可靠的化学方法是：
______________________________________________________________________。
（2）沉淀G的化学式为_____________。
（3）写出有关离子方程式：
①中生成A：_______________________________________。
②：_______________________________________________。
（4）假设测定A、F、I均为0.01mol，10mL X溶液中n(H＋)＝0.04mol，且不能确定含有的离子（Q）只有一种。当沉淀C物质的量___________，表明Q离子一定是_________。
(15分)随着科学技术的发展，测定阿伏加德罗常数的手段越来越多，测定的精确度也越来越高。现有一种简单可行的测定方法，其具体操作步骤如下：①用分析天平称取研细干燥的NaCl固体
g于体积为V1毫升的定容容器A中；②用滴定管向定容容器A中加入苯，并不断振荡，加苯到定容容器A的刻度线时所加入苯的体积为V2毫升；根据以上操作回答以下问题：
（1）定容容器A最好用________________(填实验仪器名称)；
（2）滴定管是用酸式滴定管还是用碱式滴定管？_____________________，为什么？
______________________________________________________________；
（3）能否用水代替苯？_____________，为什么？
_______________________________________________________；
（4）测定离子化合物中离子间的间隔的方法是用X—射线衍射法，已知X—射线衍射仪测出的NaCl晶体中相邻Na＋和Cl－的核间距为
cm。则利用上述方法测得的阿伏加德罗常数的数学表达式为：
______________________；
（5）纳米材料的表面原子占总原子数的比例极大，这是它具有许多特殊性质的原因，假设某纳米颗粒的大小和形状恰好等于氯化钠晶胞的大小和形状，则这种纳米颗粒的表面原子占总原子数的百分比为：______________。
奶油中含有有一种可作香料的化合物A，A中只含C、H、O三种元素。通过红外光谱图分析可知A中含有碳氧双键；通过李比希法分析得到A分子中C、H、O原子个数比为2:4:1，通过质谱仪分析其相对分子质量为88。
已知：
与A相关的反应如下：
⑴ A的分子式为，H的结构简式为。
⑵写出B → D反应的化学方程式：。
⑶在空气中长时间搅拌奶油，A可转化
为相对分子质量为86的化合物G。G有多种同分异构体，其中符合下列两个条件的同分异构体共有种。（不包括G）
A．无环状结构 B．不含碳碳双键和碳碳叁键
⑷
请设计合理方案从
合成OHC(CH2)4CHO（用反应流程图表示，注明反应物、反应条件；无机试剂可自选）。
反应流程图示例（由乙醇合成聚乙烯）：
已知：A、B、C、D、E、F五种元素核电荷数依次增大，属周期表中前四周期的元素。其中A原子核外有三个未成对电子；化合物B2E的晶体为离子晶体，E原子核外的M层中只有两对成对电子；C元素是地壳中含量最高的金属元素；D单质的熔点在同周期元素形成的单质中是最高的；F原子核外最外层电子数与B相同，其余各层均充满。请根据以上信息，回答下列问题：
（1）A、B、C、D的第一电离能由小到大的顺序为。(用元素符号表示)
（2）B的氯化物的熔点比D的氯化物的熔点（填高或低），理由是。
（3）E的最高价氧化物分子的
空间构型是。
（4）F的核外电子排布式是，F的高价离子与A的简单氢化物形成的配离子的化学式为.
（5）A、F形成某种化合物的晶胞结构如图所示，则其化学式为；（黑色球表示F原子）
（6）A、C形成的化合物具有高沸点和高硬度，是一种新型无机非金属材料，其晶体中所含的化学键类型为。
氮化硅（Si3N4）是一种优良的高温结构陶瓷，在工业生产和科技领域有重要用途．
I.工业上有多种方法来制备氮化硅，常见的方法有：
方法一直接氮化法：在1300℃-1400℃时，高纯粉状硅与纯氮气化合，其反应方程式为.
方法二化学气相沉积法：在高温条件下利
用四氯化硅气体、纯氮气、氢气反应生成氮化硅和HCl，与方法一相比，用此法制得的氮化硅纯度较高，其原因是.
方法三 Si(NH2)4热分解法：先用四氯化硅与氨气反应生成Si(NH2)4和一种气体（填分子式）；然后使Si(NH2)4受热分解，分解后的另一种产物的分子式为．
II.工业上制取高纯硅和四氯化硅的生产流程如下：
已知：X、高纯硅、原料B的主要成分都可与Z反应，Y与X在光照或点燃条件下可反应，Z的焰色呈黄色．
（1）写出焦炭与原料B中的主要成分反应的化学方程式：．
（2）上述生产
流程中电解A的水溶液的化学方程式：．