镓(Ga)、锗( Ge)、砷(As)、硒(Se)均为第四周期的元素,它们在高科技尖端科学特别是信息领域有着广泛的用途。已知砷化镓的晶胞结构如图。试回答下列问题:
(1)下列说法不正确的是(选填序号) 。
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同 |
B.第一电离能:Se >As> Ge> Ga |
C.镓、锗、砷、硒都属于p区元素 |
D.半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体 |
(2)砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3反应制备得到,该反应在700℃进行,反应的方程式为 ,AsH3空间形状为 。
(3)Ge的核外电子排布式为 ,H2 Se中硒原子的杂化方式为 。
(4)AsH3沸点比NH3低,其原因是: 。
有下列四种溶液(均无气体逸出)
A.0.01mol/L的H2CO3溶液 |
B.0.01mol/L的NaHCO3溶液 |
C.0.02mol/L的HCl与0.04mol/L的NaHCO3溶液等体积混合液 |
D.0.02mol/L的NaOH与0.02 mol/L的NaHCO3溶液等体积混合液 |
据此,填写下列空白(填代号)
(1) c(H+) 最大的是______________;(2) c(H2CO3) 最大的是______________;
(3) c(HCO3-) 最大的是____________;(4) c(CO32-) 最大的是_____________;
(5) c(HCO3-) 最小的是____________。
(1)用的混合溶液可溶出印刷电路板金属粉末中的铜。已知:
====
△H=64kJ/mol ①
====
△H= -196kJ/mol ②
="==="
△H= -286kJ/mol ③
在溶液中
与
反应生成
和
的热化学方程式
为。
(2)控制其他条件相同,印刷电路板的金属粉末用10℅和3.0 mol/L的
混合溶液处理,测得不同温度下铜的平均溶解速率(见下表)。
温 度(℃) |
20 |
30 |
40 |
50 |
60 |
70 |
80 |
|
铜平均溶解速率 |
7.34 |
8.01 |
9.25 |
7.98 |
7.24 |
6.73 |
5.76 |
|
(![]() |
||||||||
当温度高于40℃时,铜的平均溶解速率随着反应温度升高而下降,其主要原因
是。
(3)在提纯后的溶液中加入一定量的
和
溶液,加热,生成
沉淀。制备
的离子方程式是。
(6分)某课外活动小组同学用下图装置进行实验,试回答下列问题。
(1)若开始时开关K与b连接,则B极的电极反应式为。
总反应的离子方程式为。
有关上述实验,下列说法正确的是(填序号)。
①溶液中Na+向A极移动
②从A极处逸出的气体能使湿润KI淀粉试纸变蓝
③反应一段时间后加适量盐酸可恢复到电解前电解质相同的状态(质量和浓度均相同)
④若标准状况下B极产生2.24 L气体,则电路中转移0.2 mol电子
(2)若开始时开关K与a连接,则B极的电极反应式为。
用离子方程式表示下列反应
(1)Cl2通入NaHCO3水溶液中
(2)向Fe(NO3)2滴入几滴稀硫酸
(3)SO2通入高锰酸钾酸性溶液中
(4)向FeBr2通入等物质的量的Cl2
(5)向明矾溶液中滴入Ba(OH)2溶液,使得产生的沉淀质量最大
(10分)把等物质的量的Cu、Fe粉投入一定量的FeCl3溶液中充分反应后取出部分溶液,
(1)若滴加一滴KSCN溶液,溶液显红色,则溶液中存在的离子有_________。
(2)若加一滴KSCN溶液,溶液不显红色,则溶液中一定存在的离子有_________,可能存在的金属粉末有_________。
(3)若加入的金属全部溶解,则溶液中n(Cu2+):n(Fe2+)是_________。
(4)若(3)反应后的溶液中有3种金属离子,欲从中回收Cu和FeCl3,需要用到的试剂有(按反应顺序填写)___________________________。
(5)在500mL 0.1 mol·L-1的FeCl2溶液中通入一定量Cl2,待反应结束后,将溶液稀释到1 L,再取出1/10稀溶液加入足量的AgNO3溶液,得到2.009g沉淀。原溶液中被氧化的Fe2+的物质的量为__________mol;若将剩余的Fe2+全部氧化,还需加入0.5 mol·L-1的稀硝酸_________ mL。